光刻工艺是半导体工业中的重要环节，是通过对硅晶圆（wafer）进行光刻和蚀刻，将流片的电路图案、元器件结构及热电场器件光刻在硅晶圆的表面上，实现从晶圆到芯片的转化。因此，光刻工艺在半导体制造行业中被誉为“工艺之母”。
随着科技的进步，光刻工艺也在不断地发展。1971年，Intel公司实现了基于1微米工艺的可编程逻辑器件（PLD）生产，在此基础上推出了世界上第一款微处理器4004，打破了人类制造半导体的历史记录。在2000年前后，全球的DRAM（动态随机存储器）市场进入了一个新的周期，DRAM产能呈几何级倍增长，使得与之关联的光刻机市场也发生了热潮。高亮度光刻机迅速地从246nm、193nm、157nm技术过渡到2013的EUV（极紫外光）工艺，毫米波（兆赫兹频率以下的频段）天线、三维IC技术等领域的快速发展，将带动半导体光刻设备市场的近期发展。