场效应晶体管，缩写为FET（Field Effect Transistor）,是一种利用电场控制电流的管子，是半导体器件的一类。场效应晶体管比双极性晶体管拥有更高的输入阻抗，门极电容小，许多参数不受控制电压摆幅的影响。基于其优点，FET有着广泛的用途。其包括电源管理电路、收音机中的放大器、各种传感器等等。
场效应晶体管分为三种类型，分别是JFET（结型场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。其中，MOSFET是最常见的。MOSFET中，有四个区域，分别是漏沟区、沟道区、增强区和绝缘层。绝缘层对外隔绝沟道区，充分利用沟道区的场效应，控制漏极-源极间的电阻。
由此可见，在现今高科技让一切更安全、更方便的时代，场效应晶体管作为一种非常重要的半导体器件，有着重要的应用价值。因此，对场效应晶体管的深入理解和高效运用势必将推动我们的科技水平不断提高，打造出更加完善的信息世界。